FET (Field Effect Transistor), yarı iletken malzemelerin kullanıldığı bir transistör türüdür. BJT (Bipolar Junction Transistor) gibi bir amplifikatör veya anahtar görevi görebilir, ancak işlevleri BJT’den farklıdır.

FET’ler, bir metal kapı (gate) elektrotu aracılığıyla elektrik alanı kullanarak yarı iletken kanalındaki elektronları veya boşlukları kontrol eder. Bu, elektronik sinyalleri amplifikasyon veya anahtarlama işlemleri için kullanılabilir hale getirir.

FET’ler, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ve JFET (Junction FET) olmak üzere iki ana tipte gelir.

MOSFET’ler, yarı iletken üzerindeki bir yalıtkanın altında bulunan metal kapı elektrotunu kullanarak elektrik alanı oluşturur. Bu elektrik alanı, yarı iletken malzemesindeki bir kanal boyunca elektronların hareketini etkileyerek, kanal boyunca elektron akışını kontrol eder.

JFET’ler, bir yarı iletken PN bağlantısının kapatılması veya açılmasıyla çalışır. Yarı iletken malzemenin içindeki bir kanal, iki PN bağlantısının arasında bulunur. Bu kanal, PN bağlantıları üzerine uygulanan gerilimle kapanabilir veya açılabilir. Bu şekilde, JFET’ler, kanal boyunca elektron akışını kontrol eder ve elektronik sinyalleri amplifikasyon veya anahtarlama işlemleri için kullanılabilir hale getirir.

FET’ler, yüksek giriş empedansı (input impedance) ve düşük gürültü özellikleri nedeniyle diğer transistör türleriyle karşılaştırıldığında daha iyi performans gösterir. Ayrıca, yüksek hızlı anahtarlamalar için de uygunlardır.

FET’ler, birçok farklı uygulama için kullanılır, örneğin, yüksek hızlı sayısal devreler, yüksek hassasiyetli amplifikatörler, radyo frekans (RF) devreleri, güç anahtarları, akım sensörleri ve daha birçok uygulama FET’leri içerir.

FET’ler için birçok farklı özellik ve parametre vardır ve bunlar genellikle farklı tipler ve üreticiler arasında değişir. Aşağıdaki tabloda, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) için yaygın olarak kullanılan bazı özelliklerin ve parametrelerin bir listesi;

Özellik/ParametreAçıklama
VDS (Drain-Source Voltage)FET’in çıkışındaki voltaj
VGS (Gate-Source Voltage)FET’in girişine uygulanan voltaj
ID (Drain Current)FET tarafından aktarılan maksimum akım
VTH (Threshold Voltage)FET’in açılması için gereken giriş voltajı
RDS(on) (Drain-Source On-State Resistance)FET’in açık durumdayken sahip olduğu direnç
Ciss (Input Capacitance)FET’in girişindeki kapasitans
Coss (Output Capacitance)FET’in çıkışındaki kapasitans
Crss (Reverse Transfer Capacitance)Giriş ve çıkış arasındaki ters iletim kapasitansı
Tmax (Maximum Operating Temperature)FET’in maksimum çalışma sıcaklığı
Pmax (Maximum Power Dissipation)FET’in maksimum güç tüketimi
Package TypeFET’in paketleme türü

Tablodaki özellikler ve parametreler, FET’in performansını, uygulama gereksinimlerini ve tasarım ihtiyaçlarını karşılamak için seçilir. Bu nedenle, FET’leri seçerken bu özellikleri ve parametreleri dikkate almak önemlidir.