BJT (Bipolar Junction Transistor), yarıiletken cihazların en yaygın olanlarından biridir. BJT’nin temel yapısı, p-tipi ve n-tipi yarıiletkenlerin bir araya gelmesiyle oluşan üçlü bir yapıdır. Bu yapının üç bölgesi vardır: emici (emitter), baz (base) ve kolektör (collector).

BJT’nin çalışma prensibi, baz bölgesine bir akım uygulandığında, baz-emitter (BE) kavşağındaki pn birleşiminin ileri yönde açılmasıdır. Bu, emici-baz (CB) kavşağındaki pn birleşiminin ters yönde açılmasına neden olur ve bu durumda emici-baz arasındaki alan genişler. Bu genişleme, emici-baz arasındaki bir direnç oluşturur ve bu direnç, emici-baz arasındaki gerilimi düşürür.

Bazda bu gerilim düşüşü, bazda bir akım akışına neden olur. Bu akım, baz-emitter arasındaki pn birleşimini kontrol eder ve kolektör-emitter (CE) kavşağındaki akımın akmasına izin verir veya engeller. Kolektör-emitter akımı, kolektör-emitter arasındaki dirence bağlıdır ve bu direnç, cihazın belirli bir emici akımına sahip olmasını sağlar.

BJT, iki temel çalışma modunda çalışabilir: doğrusal ve doğrusal olmayan. Doğrusal çalışma modunda, BJT’nin kolektör akımı, baz akımıyla doğru orantılıdır. Bu modda, BJT bir amplifikatör olarak kullanılabilir. Doğrusal olmayan çalışma modunda, kolektör akımı, baz akımının karesiyle doğru orantılıdır ve BJT bir anahtar olarak kullanılabilir.

BJT, elektronik devrelerde geniş bir kullanım alanına sahiptir. Örneğin, BJT’ler, amplifikatörler, anahtarlar, osilatörler ve güç kaynakları gibi birçok elektronik cihazda kullanılır.

1. BJT’ler, NPN ve PNP olmak üzere iki türde gelir. NPN BJT’lerde, emici n-tipi, baz p-tipi ve kolektör n-tipi yarıiletkenlerden oluşur. PNP BJT’lerde ise, emici p-tipi, baz n-tipi ve kolektör p-tipi yarıiletkenlerden oluşur.
2. BJT’lerin ana parametreleri arasında emici akımı (IE), kolektör akımı (IC), baz akımı (IB), maksimum kolektör-emitter gerilimi (VCEO), maksimum emici-baz gerilimi (VEBO), maksimum kolektör akımı (ICmax) ve maksimum güç dağılımı kapasitesi (Pd) bulunur.
3. BJT’ler, elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılan birçok farklı konfigürasyonda kullanılabilir. Bunlar arasında common emitter, common collector ve common base gibi konfigürasyonlar bulunur.
4. BJT’ler, özellikle düşük güçlü uygulamalarda kullanılır. Ancak yüksek güçlü uygulamalarda da kullanılabilirler, ancak bu durumda, BJT’lerin termal özelliklerini dikkate alarak uygun soğutma ve termal yönetim teknikleri kullanmak önemlidir.
5. BJT’lerin performansı, çalışma sıcaklığına ve çevresel faktörlere (nem, toz, titreşim, vb.) bağlıdır. BJT’lerin ömrünü artırmak için, uygun koşullarda kullanılması ve üretici tarafından belirtilen sınırlar içinde çalıştırılması önemlidir.
6. BJT’ler, birçok farklı endüstriyel, tıbbi, askeri, otomotiv ve tüketici elektroniği uygulamasında kullanılır. Örneğin, güç amplifikatörleri, verici-verici radyoları, güç kaynakları, sensörler, elektronik anahtarlar, elektronik termostatlar ve daha birçok uygulama BJT’leri içerir.

BJT (Bipolar Junction Transistor) için kullanılan yaygın özellikler ve parametreler aşağıdaki tabloda listelenmiştir:

Tablodaki özellikler ve parametreler, BJT’in performansını, uygulama gereksinimlerini ve tasarım ihtiyaçlarını karşılamak için seçilir. Bu nedenle, BJT’leri seçerken bu özellikleri ve parametreleri dikkate almak önemlidir.